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氮气通入聚变等离子体中能够显著降低边界等离子体辐射靶板的温度,提高等离子体的约束性能,降低聚变燃料离子在第一壁材料中的滞留量。氮气通入聚变等离子体中不可避免会造成氮与第一壁材料的相互作用。本文利用磁控溅射制备氮化钨膜,模拟聚变堆运行时在第一壁表面形成的再沉积氮化钨薄膜,并研究了它的微观结构和组成随温度的变化。与此同时,直线等离子体装置研究了氮化钨层对氘滞留行为的影响。同时研究了不同等离子体参数对氘泡的形成和氘滞留行为的影响。研究结果如下:1.以磁控溅射制备的氮化钨膜作为一个模拟系统,模拟研究聚变堆运