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本文对一维左右手材料光子晶体中V型三能级原子的自发辐射荧光谱进行了理论研究,具体内容如下:1.推导一维左右手材料光子晶体的传输矩阵,分析其电磁传输特性,从而为选取它来控制原子自发辐射提供理论依据。2.在计算原子自发辐射谱的过程中,引入新形式的色散关系,将一维左右手材料光子晶体与常规光子晶体归结为统一的形式,并对这两种光子晶体在控制原子自发辐射的主要区别—A与晶体结构的关系进行了讨论。3.从新形式的色散关系出发,计算一维左右手材料光子晶体中V型三能级原子的自发辐射谱,讨论系统各参数对自发辐射荧光谱的影响,并将之与真空场情况进行了对比。文中给出了一维左右手材料光子晶体中三能级原子自发辐射荧光谱的计算方法,是分析和改进实际应用中对自发辐射有较高要求系统的基础,也是验证左手材料、光子晶体等新型介质特性的重要工具,对进一步理论分析和实验具有指导意义。