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近年来,半导体材料因在能源转化和污染治理方面具有潜在应用前景而备受瞩目。金属硫化物凭借其良好的可见光响应、适宜的能带结构、原料丰富、制备简单等优点,已成为半导体材料研究的重中之重。尽管如此,CdS、ZnIn_2S_4、CdIn_2S_4等金属硫化物仍面临着光生电子-空穴对易复合、比表面积小等关键问题,而且硫化物在光、电化学反应过程中容易光腐蚀,其活性与稳定性的提高亟待解决。本文首先以CdS为研究对象,采用NaBH4固相还原-HF表面修饰方法,在CdS中引入了硫缺陷和氟离子。利用NaBH4强还原性,使