【摘 要】
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近年来，无线数据传输向着更快速度、更高容量以及更远距离的方向迅速发展，无论是军用还是民用行业都对现代通讯系统的功率与效率提出了更高的要求。但是，当前成熟的半导体工艺已
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近年来，无线数据传输向着更快速度、更高容量以及更远距离的方向迅速发展，无论是军用还是民用行业都对现代通讯系统的功率与效率提出了更高的要求。但是，当前成熟的半导体工艺已经不能充分满足下一代功率模块的应用需求，因而迫切需要寻求更先进的技术。在众多已投入使用的半导体材料当中，宽禁带材料氮化镓(GaN)无疑是最具应用前景的材料之一。基于GaN/AlGaN HEMT技术的单片或混合集成功率放大器可实现高功率、高效率、高耐压、体积小以及高可靠性等一系列优越的特性。本文主要讨论的便是基于氮化镓的单片微波集成功率放大器的分析与设计。 本文主要分为四个部分，首先介绍了MMIC盼发展历程和优势，以及GaN作为第三代半导体材料的代表相对于硅(Si)和砷化镓(GaAs)的独特优势，对功率放大器的主要理论进行了分析和讨论;设计了三个基于GaN/AlGaN HEMT的2.4GHz单片微波集成电路放大器，其中双级功率放大器的仿真结果在输入功率为25dBm时输出功率达到33.93dBm并且功率附加效率（PAE）达到了65.56％;采用一种结构紧凑、性能优良的新型可调混合型功分器设计了一个两路功率合成放大器，仿真结果表明其在输入功率为25dBm时，输出功率、功率附加效率分别达到了36.77dBm与74.71％;最后对两片单级功率放大器芯片进行了测试和误差分析。 本文对单片微波功率放大器的电路仿真设计流程进行了较为详细的介绍，并对版图绘制以及测试的要点进行了阐述。
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