【摘 要】
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该论文的主要目的是制备锰氧化合物平面隧道结,研究自旋极化电子的隧道磁电阻效应,并希望通过隧道谱的测量揭示锰氧化合物的基本物理性质.我们采用脉冲激光沉积法在(001)取向
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该论文的主要目的是制备锰氧化合物平面隧道结,研究自旋极化电子的隧道磁电阻效应,并希望通过隧道谱的测量揭示锰氧化合物的基本物理性质.我们采用脉冲激光沉积法在(001)取向的SrTiO<,3>衬底上生长高质量的锰氧化合物薄膜,从制备隧道结的特点出发,研究沉积工艺和退火工艺对薄膜结构、表面形态以及磁性及输运性质的影响.采用两种不同的方法制备锰氧化合物平面隧道结.在第一种方法中,沉积底电极之后即取出并将之刻成图形,随后经特殊的接触掩膜沉积势垒层和顶电极.第二种方法中,先沉积反铁磁性的La<,1/3>Ca<,2/3>MnO<,3>(LCMO2/3)作为底结电极的钉扎层,并在原位制备LCMO2/3-LCMO1/3-STO-LCMO1/3多层膜,经多次刻蚀过程成功地制备了结尺寸分别为20*20μm<2>的平面结.由于能够控制顶底电极的相对自旋取向,我们在制备的平面结中成功地测得了双峰结构的隧道磁电阻曲线.
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