一款基于40nm工艺的ASIC芯片的物理设计

来源 :南开大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jeffyi2009
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布图规划是 ASIC芯片物理设计的第一步,也是芯片设计在物理阶段的重点,它的好坏直接关系到整个芯片的质量。在布图规划阶段,芯片中电路模块的形状和尺寸都不固定,这种灵活性意味着设计者有足够的自由设计芯片的内部结构;同样的,布图规划也是最需要有丰富经验积累的阶段。所以本文选择对芯片物理设计中的布图规划过程进行探究,并完成了一款ASIC芯片的布图规划设计。  随着芯片工作频率的一再提高,时序也已经成为决定芯片性能的关键因素。本文从最小化时钟偏差出发,制订了分两步做时钟树综合的策略,先做功能型时钟的时钟树综合,再做扫描时钟的时钟树综合。并编写了时钟树综合需要的说明文件,完成了时钟树综合并得到了满意的结果。  这款 ASIC芯片采用的 tsmc40nm工艺。在芯片布图规划阶段采用的是Cadence公司的EDI物理设计平台进行分析设计,主要完成了芯片尺寸的确定,宏模块的摆放,电源网络设计,pad摆放;在时钟树综合阶段完成了时钟树结构设计,并得到了满足性能需求的时钟树网络;在静态时序分析阶段主要完成不同分析阶段时钟约束文件的编写,静态时序分析及ECO修改。
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