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近年来,硅及锗半导体探测器因其良好的能量线性、很高的能量分辨、快的时间响应特征、很高的探测效率等特点,在不同领域有着广泛的应用,但是硅和锗半导体探测器由于其能隙窄,需要在制冷条件下应用,并且其抗辐照能力不高,近年来,国际上一直在寻找一种耐辐照、可在高温下应用的半导体探测器,复合半导体探测器特别是SiC探测器,因为其合适的能量宽度,受到了广泛的关注。本文根据空间天文观测的需求,从文献研究中了解了碳化硅(Si C)探测器设计的特性参数,并分别通过仿真分析和实验验证两个方面进行了SiC作为辐射探测器的探索工作。首先,对比了SiC与其他探测器材料对不同粒子的探测效率。采用Geant4对30μm的SiC和Si分别进行了4-10MeV的α粒子、100keV-1Me V的电子、100keV-9MeV的质子以及1-9keV的X射线进行仿真研究。对比模拟结果,得出SiC可以替代Si作为辐射探测器的备选材料。未来,SiC探测器可替代Si探测器用于X射线的探测。然后,开展了SiC用于空间粒子探测的仿真分析,并根据SJ-10辐射探测器设计经验,将SiC和碲锌镉(CZT)组成了“望远镜”结构的粒子鉴别探测系统。采用Geant4对上述探测器系统进行了模拟仿真。仿真结果表明,不同种类的粒子出现在能谱的不同区域,所以它们能够被鉴别,证明该探测器系统可以用于空间粒子鉴别。最后,对成功制备的30微米厚SiC探测器,进行了I-V特性曲线以及能谱测试,将结果与成熟的Si探测器对比。I-V测试对比表明,在相同偏压下,SiC的漏电流值远低于Si探测器;α能谱测试对比表明,SiC探测器与IRD公司生产的AXUV-100型号的Si探测器的探测效率基本一致,并且可以很好地分开5.1MeV和5.4MeV的α粒子的全能损峰。