【摘 要】
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等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的氮化硅膜(SiN)已经广泛应用于太阳电池的生产中,具有减反射作用和钝化作用.作为减反射膜,其折射率为2.0左右,与硅的折射率最为匹配.
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等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的氮化硅膜(SiN)已经广泛应用于太阳电池的生产中,具有减反射作用和钝化作用.作为减反射膜,其折射率为2.0左右,与硅的折射率最为匹配.同时,薄膜中所含的氢能提供理想的表面和体内钝化.SiN膜是一种优质的减反射膜和钝化膜,在多晶硅电池等低效率电池上作用尤其明显.PECVD法沉积温度低(<400℃),沉积速度快,质量易于控制,在沉积减反射膜的同时完成钝化作用,工艺较为简单,适合于工业化生产.该文优化了PECVD的工艺参数,研究了不同条件下沉积及退火后SiN膜的性能,并讨论了它在不同太阳电池上的应用.实验采用了多种测量方法:椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱等.
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