【摘 要】
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利用独具特色的准低温分子束外延生长技术,生长出高质量的GaAs/AIGaAs多量子阱 光折变材料.研究了材料准低温生长过程中包括衬底温度和III/V束流比在内的生长条件与 深能纺缺
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利用独具特色的准低温分子束外延生长技术,生长出高质量的GaAs/AIGaAs多量子阱 光折变材料.研究了材料准低温生长过程中包括衬底温度和III/V束流比在内的生长条件与 深能纺缺陷性质,从而与光折变效应大小的关系,找到了提高器件性能的有效途径.讨论了光折变响应时间的基本限制问题,明确了电调制和光调制是器件两种不同的驱动方式,探讨了提高垂直场器件电调制工作频率的途径.电调制频率超过10MHz,比国际水平提高2-3个数量级,为高速图象转换与传输提供了更加巨大的潜力.提出垂直场器件最佳作用光强的概念,并提出增大量子效率可以减小减小最佳作用光强的概念,并提出增大量子效率可以减小最佳作用光强.修正了前人对器件衍射过程的理解,在非简并四波混频实验中获得了国际上最大的入射衍射效率4.5﹪.
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