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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池具有转化效率高、成本较低、适合大规模生产等优点。其吸收层属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体材料，具有1.04-1.65eV的可调禁带宽度和高达105cm-1的吸收系数。本文采用CIGS四元靶进行直流磁控溅射，制备吸收层CIGS薄膜，并研究溅射参数和退火工艺对其结构、形貌、成分和性能的影响。采用直流磁控溅射的方法制备得到底电极Mo层，并研究了其结构、表面形貌以及电学性能。研究表明所制备的Mo膜表面平整致密，结晶性好，厚度约为1μm,方块电阻约为0.12Ω/sq，满足高性能