金刚石对顶砧上原位电导率测量方法

• 作 者: 韩永昊
• 出 处: 吉林大学
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 金刚石对顶砧 电路集成 高压 原位测量 电导率

本论文将薄膜制备和光刻技术与金刚石对顶砧技术相结合,创立了一套新的高压下原位电阻率测量实验方法。论文采用金属钼薄膜作为电极材料,氧化铝薄膜作为绝缘保护层,解决了金刚石对顶砧上测量电路排布和绝缘隔离等关键技术问题,实现了百万大气压条件下的原位电导率测量。利用这个新技术对 ZnS、g-C3N4和 ZnO 等材料进行了研究,发现高压下伴随闪锌矿到岩盐矿的结构相变,ZnS 经历了一个可逆的由直接带隙半导体到间接带隙半导体的转变。ZnO 电阻值在 9GPa 左右的突变与其不可逆的结构相变对应。g-C3N4 在 35GPa 范围内出现 3 次电阻突变,其中 5GPa 和 12GPa 这两个突变与理论预言的同质异形体相变和由 g-C3N4 到立方相 c-C3N4 的相变相吻合。在 21GPa 左右发生的电阻突变对应着一个未被预言的相变。