【摘 要】
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CVDZnS作为一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,是当前非常重要的远红外波段(8~12pμm)用窗口和头罩材料,它不仅具有优秀的光学性能同时还具有较好的力学性能.而且通过对原生ZnS进
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CVDZnS作为一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,是当前非常重要的远红外波段(8~12pμm)用窗口和头罩材料,它不仅具有优秀的光学性能同时还具有较好的力学性能.而且通过对原生ZnS进行一定的后处理工艺还可以实现ZnS的多光谱,使其从可见光到远红外均可透过,满足复合制导的需求.然而要想制备具有良好光学和力学性能配比的CVDZnS和多光谱ZnS,就必须制定合理的化学气相沉积工艺和相应的热等静压工艺. 该文主要研究了化学气相沉积工艺条件下温度和其它沉积条件的变化对CVDZnS的光学性能和力学性能的影响;同时还对热等静压处理对CVDZnS光学和力学性能的影响进行了研究,并初步探讨了热等静压处理造成CVDZnS光学和力学性能变化的机制.
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