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非化学计量比的硒化银和碲化银材料(简称硫族银化物材料)在很宽的温度范围内(1K-300K)和超宽的磁场范围内(1mT～55T)具有巨大的线性正磁电阻效应(LMR),且直到55T的超强磁场下,LMR仍未达到饱和,该材料的奇异磁电阻效应已引起了研究者的广泛关注。本文采用水热合成法和室温-固相合成法制备了硒化银材料,并对其制备工艺和性能进行了一系列研究。同时在四端网络模型基础上提出新的物理模型,即基于准随机分布电阻网络的复合材料镶嵌模型,该模型可定量解释非化学计量比硫族银化物薄膜材料的奇异磁电阻性质。