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论文的主要工作如下:1.对键合技术的历史、现状,键合的方法以及键合技术在不同领域内的应用进行了系统的总结.2.由于GaAs、InP晶片表面平整度和洁净度对晶片的键合质量以及实现低温键合有着重要的影响,所以我们从理论上对平整度和洁净度的影响进行了总结,并通过反复实验,优选出了GaAs、InP的表面处理液,处理后可以得到较好的平整度和洁净度.3.根据双金属带热应力分布理论,分析了理想状态下晶片键合界面的热应力分布(辅助周震师兄完成),得到的晶片键合界面的剪应力、正应力以及剥离应力的分布情况.4.对GaAs、InP键合产生的三类位错缺陷进行了理论分析和总结.我们给出了一种分析键合中第三类位错(热失配位错)形成机制的理论,不仅可以将其应用于GaAs、InP的键合,也可以将其推广应用于其他材料的键合分析中.通过将这一理论应用于GaAs、InP的键合中,我们得到以下两个结论:一是GaAs、InP的键合中存在一个临界退火温度,约为440℃,低于此温度退火成键,热失配位错将大大减少.二是当GaAs、InP高温(大于440℃)退火后,温度降低到约380℃时,热应力将开始不足以产生新的热失配位错,低于380℃的退火过程中的热应力将引入弹性形变,而不是位错(塑性形变),这一点与国外同行的实验测量值比较吻合.5.通过键合实验,发现了原来的夹具的不足,重新用高纯高密石墨材料设计并制作了夹具.6.提出了现有实验条件下可操作的实验方案,进行了GaAs、InP的初步键合实验,虽还未实现键合,但通过键合实验,调整了不足之处,熟悉了工艺流程,对键合技术有了更为深刻的了解,并为后续的研究人员积累了实验经验.非常值得一提的是,我们实验室中的王琦和黄辉博士,经过反复的工艺实验,得到了低成本无毒的GaAs、InP的低温键合工艺,键合温度小于400℃.我们的键合方案与之不同之处在于希望以更短的退火时间实现键合,进一步减少两种材料互相扩散的机会.