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本文采用湿化学法原位制备Ba0.5Sr0.5Ti O3-Mg O(BST-M)、Ba0.5Sr0.5Ti O3-Mg2Ti O4(BST-MT)、Ba0.5Sr0.5Ti O3-Mg2Si O4(BST-MS)三类铁电/介电复相陶瓷,研究不同制备方法和组分对BST基复相陶瓷微观结构及其介电性能的影响,分析其原位复合的生长过程及机理,研究化学组分、结构对其微波、介电调谐特性的影响,建立结构及性能变化与渗流效应的对应关系。主要的研究工作包括:采用柠檬酸-硝酸盐自燃法在较低温度下(700oC)原位制得BST-Mg O纳米复相粉体,再经传统的电子陶瓷制备工艺制得两相均匀分布的BST-Mg O复相陶瓷。随着Mg O体积分数(?M)的增加,更多Mg2+进入BST晶格,且Mg2+进入Ti位导致F色心的形成;相应地,复相陶瓷中BST的介电常数(ε)依赖于?M,且满足Mfbea′′=BSTe关系;此外,介电调谐率在6.0Mf=处存在渗流现象,满足修正的球形颗粒有效介质理论模型。采用柠檬酸-硝酸盐自燃法在1000oC以下未能原位制得纯相的BSTMg2XO4(X=Ti,Si)复相粉体,但在1300oC下烧结制得BST-Mg2XO4(X=Ti,Si)复相陶瓷。复相陶瓷中BST的ε随微波介质体积分数?变化均满足fbea′′=BSTe关系,但在BST-Mg2Si O4体系中BST的ε随?的增加而显著降低,同时该体系中介电调谐率的渗流现象也消失,这可能是Si O2在1300oC熔化而导致更多Mg2+进入BST晶格所致。采用草酸共沉淀法在较低温度下(700oC)原位制得颗粒大小均一的BST-M纳米复相粉体,碱性前驱体有助于Mg2+的沉积,但不利于纯相BST和Mg O复相结构的形成。对于p H=2前驱体制得的BST-M复相陶瓷体系,随着Mg O复合量的增加,居里温度仍保持不变,而介电峰被显著抑制。相应地,介电常数和介电调谐率降低,而微波介电损耗均小于0.005。