【摘 要】
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忆阻器是一种具有记忆功能的非线性二端口无源器件,最早是在1971年由美国加州大学伯克利分校的蔡少棠教授预测存在的,它把磁通和电荷两个变量联系起来,从而弥补了这个两个电路基本变量之间关系的缺失。2008年惠普实验室的研究人员宣布实现了一种纳米级固态的忆阻器,证明忆阻器确实存在。本文首先分析了HP实验室忆阻器的物理模型及工作原理。对忆阻器的非线性漂移模型进行了仿真,得到了单个忆阻器的元件特性。其次研究
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忆阻器是一种具有记忆功能的非线性二端口无源器件,最早是在1971年由美国加州大学伯克利分校的蔡少棠教授预测存在的,它把磁通和电荷两个变量联系起来,从而弥补了这个两个电路基本变量之间关系的缺失。2008年惠普实验室的研究人员宣布实现了一种纳米级固态的忆阻器,证明忆阻器确实存在。本文首先分析了HP实验室忆阻器的物理模型及工作原理。对忆阻器的非线性漂移模型进行了仿真,得到了单个忆阻器的元件特性。其次研究了忆阻器与电容、电感、电阻三种基本元件组合电路的电路特性,验证其与传统R、L、C电路的差异。本文
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