低强度半导体激光对鼓膜穿孔愈合的影响

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目的 探讨不同照射条件下波长为635nm的半导体激光对外伤性鼓膜穿孔愈合过程的影响。 方法 39只鼓膜正常的健康豚鼠随机分为A、B、C三组,切除豚鼠双侧耳屏及耳廓下部软骨和皮肤,暴露外耳道口。伤口愈合后在手术显微镜下于双耳鼓膜紧张部后上象限行约1.5mm×2.0mm椭圆形中央性穿孔,保留锤骨柄及鼓环组织。半导体激光分别照射A组、B组、C组豚鼠一侧鼓膜,光斑直径约1.2cm,照射时间每次10min,功率密度分别为45.11mW/cm~2(A组)、12.38mW/cm~2(B组)、6.19mW/cm~2(C组),能量密度分别为27.07J/cm~2(A组)、7.43J/cm~2(B组)、3.72 J/cm~2(C组),每日1次,共9次,照射侧随机选择左侧或右侧,对侧作为对照不做任何处理。手术显微镜下观察穿孔,记录其中8只豚鼠双侧穿孔的愈合时间,每组的另外5只分别在穿孔后的第3、5、7、9、11天被处死。取鼓膜及鼓膜附着处组织,HE染色,光镜下观察鼓膜厚度及血管增生情况。 结果 三个对照组鼓膜穿孔平均愈合时间10.92天(8.15天),各对照组间穿孔愈合时间差异无统计学意义(P=0.880)。A组实验组穿孔平均愈合时间11.25天(9-14天),B组实验组穿孔平均愈合时间9.00天(8-12天),C组实验组穿孔平均愈合时间10.50天(8-13天)。组内实验组与对照组比较,B组实验组穿孔愈合时间缩短有统计学意义(P=0.002);三个实验组间穿孔愈合时间差异亦有统计学意义(P=0.016),其中B组与A、C两组间差异有统计学意义(P<0.05),A组与C组间差异无统计学意义(P>0.05)。 三个对照组穿孔愈合后鼓膜平均厚度114.05μm(43.47-255.97μm),各对照
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