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背景：工频磁场是指频率为50Hz或60Hz,由各种电压等级输电线及各种家用电器等产生的磁场,其属于极低频电磁场(0-300Hz)的范畴。工频磁场被报道可以改变神经组织的Ca2+的内稳态,引起不同细胞ROS的上升,引起细胞或生物内稳态的改变导致其细胞功能的改变。自噬对维持细胞、组织或生物体的内稳态发挥重要功能。细胞自噬将受损的细胞器或生物大分子包裹进自噬体,与溶酶体结合后降解内容物供机体重新利用,是机体重要的一种防御和保护机制。暴露于工频磁场后,细胞稳态的变化是否会引起细胞发生自噬,以适应这一新的环境目前还未知。目的：本研究拟探索2mT工频磁场对小鼠胚胎成纤维细胞自噬的影响。方法：MEF细胞暴露于2mT工频磁场30分钟、2小时、6小时、12小时和24小时后,通过Western blotting实验检测细胞内自噬标志物LC3-Ⅱ表达水平。监测到暴露组自噬标志物增加的时间点后,我们通过激光共聚焦显微镜检测细胞内GFP-LC3定位自噬小体情况,用透射电镜观察细胞内自噬体形成情况,通过添加溶酶体抑制剂氯喹检测自噬流量变化。并且,我们用ROS检测试剂盒测定细胞内ROS水平,用流式细胞仪及TUNEL染色检测细胞凋亡。结果：在本实验条件下,工频磁场暴露6h可引起MEF细胞自噬标志物水平上升,包括(1)LC3-Ⅱ表达水平升高；(2)GFP-LC3亮点数量增加；(3)自噬小体形成数量增加。另外,通过添加氯喹,我们发现工频磁场辐照6h后自噬流量增加,提示工频磁场诱导的MEF自噬标志物水平上升,是由于上游诱导增加,与自噬降解通路的抑制无关。在探究工频磁场诱导的MEF细胞自噬机制时,我们发现其可能与ROS相关,是非1nTOR依赖的。工频磁场暴露6h对MEF细胞凋亡无影响。结论：在本实验条件下,工频磁场暴露6h引起MEF细胞ROS相关的自噬。