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g-C3N4(氮化碳)作为半导体光催化材料具有成本低、化学和物理性质稳定、催化性能强的特点,近年来逐渐受到研究者的关注。但是,g-C3N4对可见光利用率低、光生电子空穴易于复合、比表面积小等缺陷,在一定程度上制约了这一技术的发展。本论文采用含有卟啉基团的MOF(FeTCPP-UiO-66)对g-C3N4进行改性,改善其比表面积小和光吸收范围窄的缺点,从而提高其光催化效率。采用水热法制备出FeTCPP-UiO-66/g-C3N4复合材料,使用XRD测试、XPS能谱、傅里叶红外光谱、氮气吸附-解吸检测手段对结构进行检测;利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)检测材料的外观形貌;通过紫外漫反射和荧光光谱的测定研究复合材料的光学性质,光电流测试考察复合材料的光电性质。表征结果证实:FeTCPP-UiO-66/g-C3N4 的比表面积为111.0 m2/g,FeTCPP-UiO-66 被均匀地包裹在g-C3N4中,FeTCPP-UiO-66/g-C3N4在紫外光区和可见光区均呈现出较强的吸收,FeTCPP-UiO-66/g-C3N4表面光生电子的快速分离和转化得到了提高。在可见光和模拟太阳光照射下降解RhB来考察此复合物的最佳复合比例以及光催化活性,其中5wt.%FeTCPP-UiO-66/g-C3N4的光催化性能最佳,50 min降解率为95.0%,反应速率常数比单体g-C3N4高出2.6倍。FeTCPP-UiO-66/g-C3N4复合材料经过4次循环降解实验而催化性能几乎不损失,表明了其具有良好的稳定性。为了考察催化剂对无色有机污染物的降解性能,实验研究了FeTCPP-UiO-66/g-C3N4复合材料降解氧氟沙星的能力,利用不同浓度氧氟沙星溶液和反应体系的pH值来考察其对降解效率的影响。结果表明在可见光照射下,当氧氟沙星初始浓度为10 mg/L、溶液pH为3的时候降解效果最佳,100 min降解率为91.3%,反应速率常数比单体g-C3N4高出2.4倍。通过荧光实验、光电流测试、活性物质捕获实验来研究FeTCPP-UiO-66/g-C3N4复合材料的降解机理。在FeTCPP-UiO-66中分别引入-NH2和-NO2制备具有不同官能团的复合物并研究测试其性能,考察不同官能团对复合材料性能的影响,结果表明FeTCPP-UiO-66-NH2/g-C3N4 催化性能最强。