【摘 要】
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SnO2是一种典型的半导体型金属氧化物，其禁带宽度为3.6eV（300K）。由于SnO2一维纳米材料具有特殊的物理性质，以及在光电子装置、气敏传感器、透明电极、太阳能电池等领域有着广泛
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SnO2是一种典型的半导体型金属氧化物，其禁带宽度为3.6eV（300K）。由于SnO2一维纳米材料具有特殊的物理性质，以及在光电子装置、气敏传感器、透明电极、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景，使得其倍受关注。改进一维纳米材料的制备方法以获得离散性好、具有特定微结构的SnO2一维纳米结构体系正成为当前的研究热点。本文运用化学气相沉积法通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件，实现了SnO2一维纳米结构的控制生长，成功获得SnO2各种不同横向尺度的纳米线、纳米带以及针状纳米结构。实验结果显示：SnO2一维纳米结构生长过程中所遵循的生长机理可能与生长点附近锡与氧的相对含量有密切关系，调节高温生长点附近锡与氧的相对含量可以较精确地控制SnO2一维纳米结构的生长。通过改变生长区内气压和衬底位置，成功得到大多数垂直衬底生长的SnO2微纳米丛簇和树刺状、试管刷状等SnO2自组装微纳米结构，并浅略地分析了这些结构的生长机理和可能的形成原因。衬底处较高的蒸气浓度是制备出这些自组装结构的关键。由于二氧化锡具有优异的气敏特性，在气体传感器领域得到了重要应用。为了进一步提高其对气体的选择性和灵敏度，提高其工作稳定性，同时把其工作温度降到室温范围内，本文也对SnO2一维纳米结构进行了掺钼的尝试，并获得初步成功。通过对比两种不同条件下的掺钼实验，对运用化学气相沉积法制备高熔点金属掺杂二氧化锡纳米结构的条件进行了探讨。
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