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BiFe0_3是已知的唯一一种室温下具有铁电和铁磁性的多铁材料,是一种潜在的铁电存储材料。然而由于实验上制备出的BiFeO3往存在着缺陷,漏电流较大,且其铁磁性比较弱,限制了其存储性能的发挥和应用。基于上述原因,目前有关BiFe0_3的研究大都集中在通过减小漏电流来提高其铁电性能或者通过掺杂等手段来提高其铁磁性能等方面。BiFe0_3除具有多铁性质外,还具有半导体性能。然到目前为止,关于其半导体性能的开发和应用研究十分有限,有待进一步拓展。本文从BiFeO3的铁电性和半导体性质出发,利用其半导体性质