【摘 要】
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该文旨在通过对SrBiTaO进行掺杂改性来提高其剩余极化强度、降低矫顽电场.研究了不同制备工艺对掺镧SrBiTaO薄膜特性的影响,得到了具有较好性能的SrLaBiTaO薄膜.对SrLaBiTaO
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该文旨在通过对SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>进行掺杂改性来提高其剩余极化强度、降低矫顽电场.研究了不同制备工艺对掺镧SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>薄膜特性的影响,得到了具有较好性能的SrLa<,x>Bi<,2.2-x>Ta<,2>O<,9>薄膜.对SrLa<,x>Bi<,2.2-x>Ta<,2>O<,9>薄膜进行了组分分析、表面形貌分析、X射线衍射分析,并且测量了电滞回线、印刻特性、抗疲劳特性、保持特性及漏电特性.金属氧化物电极被用来替代铁电电容结构中的金属电极以改善铁电材料的抗疲劳性能.该文采用水基溶液方法制备了La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>金属氧化物薄膜,并研究了制备工艺对薄膜性能的影响.在此基础上,在铂金衬底上制备了Bi<,4>Ti<,3>O<,12>/La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>结构,并研究了La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>下电极对Bi<,4>Ti<,3>O<,12>薄膜晶化及电学性能的影响.发现使用La<,0.5>Sr<,0.5>CoO<,3>下电极可提高Bi<,4>Ti<,3>O<,12>的剩余极化强度、改善漏电性能.
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