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石墨相氮化碳(g-C3N4)光催化剂由于其良好的光催化制氢活性而受到广泛关注,但g-C3N4也具有光利用率偏低、光生电子-空穴复合率偏高的缺点,限制了其性能的提高。将g-C3N4负载助催化剂,其协同效应有望更有效地抑制光生电子-空穴复合,提高光催化制氢性能。本文以MOFs为金属源,制备了Co P/g-C3N4、Co Se2/Ni Se2/g-C3N4两种复合光催化制氢催化剂。主要内容如下:(1)首先以三聚氰胺为原料制备了g-C3N4,然后将g-C3N4与ZIF-67纳米粒子经过磷化制备得到Co P/g-C3N4复合材料。傅里叶红外变换(FT-IR)、X-射线粉末衍射(XRD)和X-射线光电子能谱(XPS)结果证明煅烧后的复合材料中保留了g-C3N4的基本骨架并引入了Co P粒子。光催化制氢测试结果表明当ZIF-67在反应原料中的比例为5%时,可见光下制氢速率可达201.5μmol·g-1·h-1,是单独的g-C3N4材料制氢速率的21倍。光致发光光谱(PL)结果表明助催化剂Co P/g-C3N4的荧光强度低于g-C3N4的荧光强度,说明光生电子和空穴的分离效率被大大提高了。交流阻抗分析结果证实Co P/g-C3N4比g-C3N4阻抗更小,说明其电子传输阻力更小、电子传输速率更快,进而能够更高效的利用电子,提升光催化产氢速率。(2)以三聚氰胺为原料制备了g-C3N4,然后将g-C3N4、Ni2+掺杂ZIF-67纳米粒子和硒粉混合进行反应,成功制备了Co Se2/Ni Se2/g-C3N4复合光催化剂。进一步的,通过XRD和XPS表征证明了Co Se2和Ni Se2与g-C3N4的成功复合。光催化制氢结果表明,当Ni2+掺杂ZIF-67在反应原料中的比例在5%时,制氢速率最高可达854.1μmol·g-1·h-1,是单独的g-C3N4材料制氢速率的87倍。光电流响应曲线显示Co Se2/Ni Se2/g-C3N4复合光催化剂材料受光照激发能更快速产生光生电子与空穴,并将电子传递出去,实现了有效促进光生电子与空穴分离并提高光催化产氢性能的目的。