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与传统光源相比，GaN基白光LED由于具有节能，环保，寿命长，显色性好，响应速度快等一系列优势，是近年来最有发展前景的科技领域之一，有望取代白炽灯、荧光灯和高压钠灯等传统光源，成为照明历史上第四代光源。基于节能的要求和人们对于照明质量的不断提高，对LED光电性能和应用可靠性提出了更高的要求。温度和电流作为影响LED可靠性的主要因素，加速了其老化过程造成发光芯片和封装材料的退化失效。失效分析工作的目的主要是确定失效模式和失效机理，采取措施，避免类似失效的发生，对LED的可靠性工作也至关重要。 本实验的主要工作及结论如下: 1、采用电流加速老化的方法来研究大功率白光LED的光通量衰减特性，提出了一种包含温度影响因素的LED寿命推算方法。通过分组实验，在不考虑温度因素时，采用狭义Eyring公式计算LED的寿命;在考虑温度因素时，采用广义的Eyring公式计算LED的寿命。对比两种模型的计算结果发现，考虑温度影响能更准确的推算出LED的寿命。同时测量不同温度和电流下LED的光电特性退化情况。讨论了荧光粉的转化效率和发光芯片的退化机理。 2、针对温度循环应力试验下加速寿命数据处理困难的问题，基于修正coffin-manson模型的加速寿命试验设计与评估方法，运用coffin-Mansom模型建立温度循环试验的加速因子模型，给出试验条件设计的原则。经过数据处理对产品寿命进行外推，得到正常应力条件下的LED可靠度函数。并通过实验验证coffin-manson模型适用于大功率LED的TC试验数据计算。 3、针对大功率GaN基白光LED在电流加速老化实验中表现出的芯片表面变黑现象很温度循环试验中表现出来的断路LED进行了研究。