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【摘 要】
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随着集成电路制造工艺进入14nm及以下技术节点，芯片内关键层上的图形特征尺寸(Critical Dimension，CD)已经超过了193nm浸没式光刻单次曝光的极限。为了解决这一问题，光刻工艺相
【机 构】
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中国科学院大学
【出 处】
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中国科学院大学
【发表日期】
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2018年期
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