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红外探测器在军事与民用领域都非常重要。InAs/GaSb二类超晶格材料因为具有较低的俄歇复合率、较长的载流子寿命及较好的材料均匀性等特点，被认为是制作高性能制冷型红外探测器的优秀材料。红外吸收区材料的非有意掺杂浓度及其电学输运性质对探测器的性能具有重要影响。本论文针对分子束外延生长的InAs/GaSb二类超晶格材料的电学输运性质开展了研究，取得的成果如下: 1.通过变温Hall测试手段对分子束外延生长的中波、长波、甚长波波段的InAs/GaSb二类超晶格材料的非有意掺杂浓度进行了系统研究，发现分子束外延生长的中波、长波、甚长波红外吸收区材料在77K为p型而在室温下为n型，且材料非有意掺杂浓度较小。所有的样品都出现了导电类型由p型向n型的转变，其中中波、长波、甚长波样品的转变温度分别为210、140和85K，相应的残余电子激活能为106、71和32meV。材料导电类型的转变被解释为InAs材料中残余电子及GaSb材料中残余空穴具有不同的激活能所致。除此之外，结合传统的电学输运理论对电导率、载流子浓度以及迁移率随温度的变化关系做出了解释。 2.为了验证界面散射对InAs/GaSb二类超晶格材料的影响，通过对结构相似但界面不同的三个样品在5～300K温度范围内进行变温Hall测试，发现在5～20K的温度范围内观察到的迁移率的变化被认为是受界面散射及界面互混引起的In、Ga组分的梯度分布的影响共同所致。但与中波、长波、甚长波样品不同的是，三个样品的导电类型均未出现转变，这一点可以通过生长时超晶格界面发生的较强的界面互混而予以解释。