半导体级直拉法的工艺控制

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进入21世纪以来,随着新兴产业的科技创新,半导体行业得到了空前的发展。半导体产业发展迅猛,尤其近几年,国家大力发展半导体产业,缩短该行业与世界先进水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料,但未来几年可以预见,硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质,将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料,应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化,让硅原子按照人为设定的方向进行生长,最终形成的。一般会采用直拉法进行制备。晶圆的直径越大,集成电路制造的成本将会越低,因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面就涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计,工艺的过程控制,减少位错的产生,以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。
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