【摘 要】
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该论文主要进行了以下几个部分的研究工作:1.非晶硅肖特基势垒结构物理参量的测试分析是研究非晶硅薄膜材料与器件光电特性及其在联系的重要手段.作者通过测量不同温度(220-3
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该论文主要进行了以下几个部分的研究工作:1.非晶硅肖特基势垒结构物理参量的测试分析是研究非晶硅薄膜材料与器件光电特性及其在联系的重要手段.作者通过测量不同温度(220-300K)下非晶硅肖特基势垒结构电流-电压特性及其光致变化,研究了势垒结构空间电荷区和体材料中的电输运过程和光致亚稳变化的微观机制;2.非晶硅薄膜态密度分布是其 网络无序和结构缺陷的直接反映.研究a-Si:H隙态密度分布及其光致变化可获得有关其微 结构以及光致变化的诸多信息.非晶硅肖特基势垒电容、电导频率特性包含着非晶硅体材料本身隙态密度分布的全部信息,基于此,作者首先采用介电响应的普适化德拜模型,对非晶硅肖特基热垒电容、电导频率特性进行了严格的理论分析,给出隙态密度分布和势垒电容、电导频率特性的关系,然后通过系统的实验测试和分析对隙态密度分布及其光致变化进行了细节地跟踪研究;3.非晶硅薄膜光致膨胀是光照过程中晶格松驰的宏观体现,而晶格松驰可能是光致薄膜网络结构变化赖以发生的前提条件.作者采用光学位移等方面进一步检测和分析了光膨胀这种全新的物理效应.
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