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SiC优越的高温力学性能、高温化学惰性、低感生放射性和低中子捕获截面以及禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速度大等诸多特性，使SiC广泛的应用于先进核反应堆、核废料处理等高温强辐射的苛刻环境及高温、高频、大功率半导体器件领域。本论文基于探讨惰性气体离子辐照对6H-SiC材料的损伤，通过TEM观测材料微观结构的具体变化。 本论文选用能量为5.0MeV的Kr离子与2.3MeV的Ne离子分别注入6H-SiC单晶样品（室温注入），注量分别为5×1013，2×1014，1×1015Krions/cm2与1.1×1015，3.75×1015Neions/cm2。注入完成后分别在500，700和1000℃温度下真空退火。随后采用劈裂法制备透射电镜截面样品，随后在北京有色金属研究总院完成高分辨透射电镜的观测。 实验依次观察到随着注入剂量的增加简单缺陷、面缺陷的产生以及晶体结构的非晶化;随退火温度依次升高，微观缺陷都呈现出回复效应;对于Kr离子注入的样品，在1000℃退火后高剂量注入的样品中出现了非晶化层的再结晶效应;对于Ne离子注入的样品，两个剂量下都有非晶层出现，并在退火过程出现再结晶。结合此前的纳米压痕、高分辨XRD、原子力显微镜AFM、拉曼光谱的分析测试结果，本论文对样品材料在辐照情况下微结构的演化机理做了讨论。