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随着器件特征尺寸进入亚0.1μm,器件的泄漏电流已开始成为限制电路可靠工作,影响电路功耗的主要因素之一.为了抑制泄漏电流继续传统的等比例缩小法则已经面临诸多困难和挑战采用新材料、新结构和新工艺是解决这一困难与挑战的重要途径,因而已成为当前集成电路技术的重要发展方向.该文针对器件关态下源漏之间的泄漏电流问题,围绕着源漏结构和超浅结工程分别进行了新结构和工艺研究以及精确的原子级工艺模拟研究.