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来源 :中国科学院大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
从以GaAs等三五族材料为代表的第二代半导体过渡到以三族氮化物为代表的第三代半导体,材料的晶格结构发生了很大的变化。结构决定物性。材料结构的差异,必然有不同的物理性质。
【作 者】
:
武树杰
【机 构】
:
中国科学院大学
【出 处】
:
中国科学院大学
【发表日期】
:
2013年期
【关键词】
:
半导体超晶格
三族氮化物
反射差分光谱
平面内光学各向异性
弹光效应
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