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随着电子产品朝着高集成度、小型化方向发展，市场对电子产品中最为普遍使用的铝电解电容器的性能提出了更高要求。在铝电解电容器性能改进方面的研究，高比容化成为当前的一个研究热点。在提高铝电解电容器的电容方面，由于铝电解电容器的阴极箔容量远大于阳极箔容量，因此要提高铝电解电容器的比容，主要任务是提高阳极箔的比容。
本文分别介绍了通过腐蚀增大比表面积和通过制备复合氧化膜增大介电常数来提高阳极箔比容的两种方法。
采用直流电腐蚀技术，在高纯电子铝箔上腐蚀出大量的隧道孔，极大地增大了铝箔的比表面积。通过改变腐蚀条件，研究了各种工艺及参数对阳极箔比容的影响，如前处理、发孔温度、发孔时间、电流密度、腐蚀液组分和铝箔组分对孔生长的影响。采用扫描电镜观察腐蚀箔的表面上孔的分布和孔的大小以及孔密度，并采用金相显微镜观察了腐蚀箔截面，以观察孔的长短和孔密度等。结果表明前处理会影响孔的分布状态，其作用是通过改善铝箔的结构,尤其是表面结构,提高其电化学腐蚀效果,达到充分扩大表面积的目的。另外，结果显示温度和硫酸浓度影响孔长和孔密度。一定范围内，温度升高或硫酸浓度增大，都会使孔长变短。除此之外，实验结果表明发孔时间，电流密度也将影响孔的大小和密度。
在研究了高纯铝箔在盐酸和硫酸混酸中的直流电腐蚀工艺的基础上进行了铝氧化膜的改性研究，将铝腐蚀箔浸渍在含Ti4＋、Sr2＋或Ba2＋的处理液中一定时间，取出，空气中自然晾干后，进行热处理，最后阳极氧化。研究了处理液的配置方法、处理液浓度、浸泡时间、热处理温度和时间等因素对铝腐蚀箔比容的影响。通过在铝腐蚀箔上浸渍沉积一层高介电常数的钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶钡陶瓷氧化物，大幅提高了铝电解电容器阳极腐蚀箔的比容。