【摘 要】
：
Ⅲ-Ⅴ族Sb化物由于在红外光源与探测领域的重要应用而得到了广泛重视,本文用MOCVD技术外延生长了GaInAsSb/GaSb异质结材料,研究了其生长特性,掺杂特性,并对材料中的位错特性
【机 构】
：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
论文部分内容阅读
Ⅲ-Ⅴ族Sb化物由于在红外光源与探测领域的重要应用而得到了广泛重视,本文用MOCVD技术外延生长了GaInAsSb/GaSb异质结材料,研究了其生长特性,掺杂特性,并对材料中的位错特性进行了探索.1 GaInAsSb四元合金的MOCVD生长GaInAsSb四元合金材料是用水平常压MOCVD设备生长的,我们对GaInAsSb四元合金材料的组份和带隙关系进行了研究,分析了GaInAsSb/GaSb异质结结构的能带类型及Ⅱ型异质结结构的特点和用途;研究了生长温度,Ga/Ⅲ比,Sb/V比,AsH<,3>流量等参数对生长速率和固相组份的影响.2 GaInAsSb四元合金的掺杂研究对n,p型掺杂源进行了分析,选择DETe,TESn,和DEZn三种掺杂源对GaInAsSb四元合金进行了n,p型掺杂研究,发现TESn是较为合适的n型掺杂源,而DEZn是较为合适的p型掺杂源.3 GaInAsSb/GaSb异质结截面的微结构研究对GaInAsSb/GaSb失配外延层中的截面特性进行了研究,发现在外延层中存在60°,90°位错和堆垛层错,它们提供了一种内应力的释放方式,并且发现只有90°位错可以在外延层表面形成脊.4低压MOCVD设备的研制及组装为了满足日益增长的对材料特性的要求,我们自行研制组装了一台较先进的,VCR连接的,全面计算机控制的低压MOCVD设备.
其他文献
该文在总结前人研究的基础上,探求固相反应一次烧制纯钙钛矿相PMN-PT固溶体系的新方法,以克服目前流行的两步预合成法耗时费料的缺点,满足工业生产的需要.通过对氧化铅组分、
锂离子电池正极材料磷酸铁锂由于其结构稳定，性能优异，成本低廉，环境友好，安全性高，而受到研宄者极大的关注。但是由于材料本身的结构特点所导致的电子电导率差和锂离子扩散系数低
作为中国将兴建的"神光-Ⅲ"前级方案预研工作的一部分,该论文首次从理论和实验两方面开展了掺镱光纤放大器(YDFA)的研究,取得了重要成果.论文第一间了著名的美国利旨莫尔实验
衍射光学是新发展起来的光学分支,它有着传统光学所不可比拟的优点,是光学设计者设计现代光学系统的有利工具.针对衍射光学元件在光束整形方面的位相恢复问题,本文应用了新发
该论文主要做了如下几方面的工作:1.该论文中研究人员基于距离与光栅结构的联系,提出一种新的方法,它既能方便地处理光栅的纯相位分布,又能方便地处理光栅的非纯相位分布.2.
该文研究了与一个衰减的量子化的单模驻波腔相耦合的两个两能级原子的质心运动.对于单激发情况人们采用了等效的一维模型,并得到了双原子黑态的一般表示,即原子-腔模的纠缠态
该文主要有两部分内容,第一是8mm波段微带隔离器测试方法研究,重点讨论8mm波段 微带隔离器专用测试架的设计方法;第二是8mm微带隔离器设计方法研究,重点讨论8mm波段带隔离器
在托卡马克中新经典撕裂模(NTM)不稳定性严重地限制了等离子体的压强，通过与电阻壁和误差场的相互作用降低等离子体的旋转，甚至导致大破裂。近几十年来人们探索了各种可能避免
所要研究的对象是一种由2RRU/RUU并联机构和RP串联机构组成的五自由度混联机器人,它适用于一条自动化生产线上,用来完成物料的抓取和搬运工作。该机器人既有串联机器人工作空
带式输送机是工程上常用的一种运输机械,它的结构简单,造价低廉,并且维护方便,可以实现不同距离输送物料的要求,被广泛应用在煤矿、冶金矿山和火力发电厂等部门。在带式输送