【摘 要】
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该论文工作主要是利用射频反应磁控溅射方法研究铅锌矿氮化铝(w-AIN)薄膜的沉积 和制备基底-氮化铝复合材料以验证程氏二极理论.首先对各个沉积参数进行了系列研究.得到了AIN
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该论文工作主要是利用射频反应磁控溅射方法研究铅锌矿氮化铝(w-AIN)薄膜的沉积 和制备基底-氮化铝复合材料以验证程氏二极理论.首先对各个沉积参数进行了系列研究.得到了AIN薄膜的合理沉积条件,利用X-光对该条件下生长的薄膜结构进行研究.接着,制 备了NiMnCo-AlN,Al-AlN,轻掺杂Si(100)-AlN,重掺杂Si(100)-AlN复合材料.通过对这些复合材料系列电学性质的研究,发现它们符合程氏二极层理论的前提和结果.如Al的化学势比NiMnCo的化学势高,二极层厚度大,重掺杂Si(100)比轻掺杂Si(100)更能向AlN的空带提 供电子,二极层厚度更大.研究了轻掺杂Si(100)-AlN的I-V曲线,发现它具有类似PN结的特点,研究了NiMnCo-AlN的介电特性,用K.Sreenivas模型对实验结果进行了解释,研究了重 掺杂Si(100)-AlN器件的霍尔效应,确定了载流子的类型,并对结果作了一些说明.
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