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当今世界面临着众多的问题，能源紧缺就是其中的重中之重。钍作为最有潜能替代铀的核能元素，未来将成为主要的核能元素。但是由于其具有的对人体和环境有巨大的伤害的放射性和毒性，所以对环境中钍(IV)的提取与监测已成为必要。离子印迹是在固相萃取技术上发展起来的分子印迹技术中一种技术，是以金属离子为印迹模板的分子印迹，所以离子印迹技术可以实现对目标离子的高选择性萃取。磁性离子印迹聚合物不仅具备了离子印迹的对模板的高度选择性和特异识别能力，而且还兼有磁性粒子的顺磁性特性，可以在外磁场作用下快速分离。 本研究主要内容包括：⑴对钍(IV)的分离分析方法、离子印迹技术、salophen/salen与金属离子的作用及磁性分子印迹的应用进行了简要的概述。⑵合成salophen N, N-双-3-烯丙基水杨醛亚胺(BASPDA)以及其与钍(IV)的配合物，通过X-射线单晶衍射仪对配合物单晶进行表征，测定 BASPDA与Th(IV)离子的作用方式。运用红外，紫外吸收光谱，热重分析和荧光光谱探讨此络合物的性质。⑶以席夫碱salophen N, N-双-3-烯丙基水杨醛缩邻苯二胺(BASPDA)与钍(IV)的配合物为功能单体和模板在烯基化磁性粒子表面采用表面印迹技术合成磁性Th(IV)离子印迹聚合物，并通过IR、XRD和SEM对其进行分析表征，在静态法中，对此印迹材料进行了各实验参数进行了研究。结果表明：该磁性印迹聚合物对钍(IV)有较好的吸附性能，在 pH为4.5时，其最大吸附容量是42.54mg/g，约是非印迹聚合物的3倍，Th(IV)/La(III)、Th(IV)/Ce(III)、Th(IV)/U(VI)和Th(IV)/Rb(III)的相对选择性系数分别为82.2，93.1，62.4和21.0。