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该文利用深能级瞬态谱(DLTS)测量了GaAs/InAs量子点超晶格样品.测得2.5ML InAs淀积厚度的量子点的电子能级为0.2eV,1.7ML InAs淀积厚度的量子点的电子能级为0.1eV,与理论计算相符.
InAs/GaAs自组织量子点的深能级谱研究
【摘 要】
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该文利用深能级瞬态谱(DLTS)测量了GaAs/InAs量子点超晶格样品.测得2.5ML InAs淀积厚度的量子点的电子能级为0.2eV,1.7ML InAs淀积厚度的量子点的电子能级为0.1eV,与理论计
【机 构】
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北京师范大学
【出 处】
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北京师范大学
【发表日期】
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1998年期
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