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作为第三代半导体材料,siC半导体材料凭借其较宽禁带、较高的临界击穿电压、较高热导率以及饱和漂移速度等优异的特性,正在逐渐取代si,成为制作高温、高压、大功率器件的半导体材料。siC和si相比较可以满足现代电子技术对高温、高功率、高电压、高频率以及抗辐射等在其他各种较恶劣条件的更高水平的要求,具有更广泛的使用范围。但由于SiO2/SiC较高的界面态导致MOSFET沟道迁移率过低,以至于严重阻碍了siC器件在广泛的范围进行应用,研究表面清洗,降低SiO2/SiC的界面态密度对于siC材料的进一步应用起到了非常关键的作用。本文基于第一性原理热力学,选取4H-SiC(0001)面进行研究,分别针对siC湿法清洗后,表面氢和羟基的分布情况和竞争吸附关系以及气体退火处理P钝化siC表面的情况进行研究,试图找到这两种情况下siC表面吸附构型的最稳定构型,为实际的siC材料应用起到一定的理论指导作用。本研究分别用VASP程序和Material Studio软件包中的CASTEP程序,对构建的siC超原胞进行优化计算,通过得到的形成能计算不同吸附钝化情况下的表面吸附能和表面自由能,并由化学势和吸附能以及自由能的关系画出化学势相图,对稳定的构型进行电子结构等方面的分析。本文的研究结果表明,对于湿法清洗后的H钝化和OH钝化,只吸附H时,siC表面是单吸附有利,4H吸附有利,全吸附有利；对于只吸附OH的情况,siC表面是单吸附有利,全吸附有利,对于同时吸附H和OH的情况,siC表面吸附规律由相图分析得到。而对于P钝化的情况1/3覆盖率的构型能量最稳定。本文的研究成果为siC材料的处理和器件的生产应用中,降低表面界面态密度、提高界面质量、优化和改善材料的性能提供了非常有用的理论依据和指导。