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近年来自旋电子学作为固体电子学的一个新分支引起了广泛的兴趣和关注。自旋电子学的一个主要目的就是产生和控制自旋极化电流。Datta和Das试图通过自旋轨道耦合相互作用来实现自旋场效应晶体管，可惜没有成功。主要困难在于把自旋极化由反铁磁金属注入到半导体中。
本文主要讨论在半无限二维电子系统和有限宽二维电子系统两种情况下的自旋在界面处的散射和透射特性。全文共分三章，具体内容安排如下：
第一章简要的介绍了论文的研究背景，重点介绍了目前自旋电子学中的一些研究热点及相关研究进展。
第二章我们将主要研究半无限二维电子系统受到Rashba-Dresselhaus自旋轨道耦合相互作用时电子的散射。而电子的散射主要由电子的入射角决定，而且在自旋轨道耦合作用区域会出现双折射现象。当入射角以非正常情况入射的时候，即γ≠0的时候，电子的自旋态是不守恒的，电子的电导也会出现振荡，这种振荡与入射电子的自旋态有关。
第三章我们将重点证明在半导体异质结构中，在没有反铁磁导线的情况下，从源极注入的非自旋极化电子，在非铁磁的漏极能够提取到部分自旋极化的电子。我们还将研究透射系数跟入射角之间的关系。