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1951年异质结的概念被提出,自此开始异质结半导体晶体管就得到高速发展。对于传统的同质结器件而言,异质结构所制成的器件拥有载流子浓度高、电子迁移率高,高频噪声指数低等优点,也在一定程度上使得半导体器件的应用向微波/毫米波领域发展。因此,自1985年PHEMT器件被发明之时,PHEMT技术就称为各国研究的重点。并且,由于PHEMT器件拥有优秀的高频特性、功率特性和低噪声特性,其也是当下MMIC集成电路应用领域最具发展前景的器件之一。而近几年来,人们对便利生活的需求逐渐增长,加速了近几年来无线通信系统的快速发展,无线通信也在逐渐取代有线通信,使得不论是学术界还是相关企业界都投入大量人力与物力资源在相关的研究领域中。因此相关的器件与电路研究也逐渐的受到重视。而PHEMT器件的模型在MMIC电路的设计中也起着非常重要的作用,一个精确的器件模型能够在工艺设计和电路应用之间起到桥梁的作用,使得电路设计人员能够直接根据模型仿真出的器件特性结果对器件实际特性有直观的了解,能够提高电路设计的准确性,减少工艺反复,降低产品成本,缩短产品研制周期。但在实际电路应用中,PHEMT器件时常工作在大信号下,这时的器件会展示出其非线性的特性,能够准确描述器件大信号下非线性特性的模型成为了各大高校及半导体厂研究的重点。本论文在此基础上,将先建立GaAs PHEMT器件的小信号模型,具体分析小信号模型中的串联电阻,寄生电感,寄生电容以及本征参数的提取方式。之后在小信号模型的基础上利用ADS EEHEMT 1模型及其温度参数建立一个具有可预测温度变化的等效模型,并将其与产品的量测结果进行对比验证。最后在EEHEMT器件模型的基础上通过优化其中的函数方程,改善原先EEHEMT模型在描述GaAs PHEMT器件自热效应及电容特性方面不精确的问题,从而达到优化模型的目的。