共源共栅结构CMOS低噪声放大器的噪声系数优化方法研究

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本文主要讨论了共源共栅源极去耦COMS低噪声放大器(LAN)的噪声系数的优化方法,进行了如下几项工作:   研究了现有的LNA拓扑结构,比较这些拓扑结构的优缺点,从而提出了本文的拓扑结构。对这一拓扑结构的性能做了大量的论述。这种共源共栅源极去耦拓扑机构大量的应用于窄带LNA的设计中,在混频器和压控振荡器中这种结构也得到广泛的引用。   建立了能够用于射频集成电路设计的MOFET的小信号模型,在完成小信号模型的基础上分析了晶体管的内部噪声机理,建立了MOSFET的高频噪声小信号模型。利用此模型,得到共源共栅LNA拓扑结构的噪声小信号等效电路,利用二端口噪声理论,推导出噪声系数的函数关系式。   分别在恒增益和恒功耗条件下,对LNA的噪声系数进行优化。此方法平衡由栅极电感的寄生阻抗以及栅指寄生电阻的噪声贡献与晶体管本身固有的噪声,实现噪声系数的优化。在ADS软件中,对噪声优化方法进行了验证。  
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