RE<'3+>(RE=Yb、Sm、Dy):GdVO<,4>激光晶体的生长与光谱性能研究

来源 :中国科学院上海光学精密机械研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:heyun102
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激光二极管泵浦源的技术进步,极大的推动了固体激光器件、技术及应用的发展,使得激光器向着全固化、小型化、可调谐、高效率方向发展。钒酸钇晶体作为钒酸盐晶体中的典型代表,得到广泛而深入的研究。然而,与目前广泛应用的钒酸钇晶体相比,以钒酸钆晶体为基质的激光晶体具更大的受激发射截面;在泵浦波段有宽吸收带;对泵浦波长和二极管温度控制依赖低;高热传导率。这表明,钒酸钆晶体是具有潜在应用价值的优良激光基质材料。   本文系统研究了Yb3+、Sm3+和Dy3+三种稀土离子掺杂GdVO4激光晶体的生长、结构特性和光谱性能,主要结论如下:   1.采用提拉法生长了10at.%Yb:GdVO4、2at.%Sm:GdVO4和5at.%Dy:GdVO4三种晶体,通过优化生长工艺,得到透明、高光质量、完整不开裂的晶体。通过XRD分析确定了它们的晶体结构及掺杂对晶胞参数的影响,并计算了其晶胞参数,通过ICP技术测定了Yb3+、Sm3+和Dy3+三种离子在GdVO4晶体中的分凝系数,并通过激光脉冲法测量了10at.%Yb:GdVO4晶体不同轴向的热导率,与Yb:YAG晶体相比,随Yb离子掺杂浓度增加Yb:GdVO4晶体的热导率下降慢。   2.研究了Yb:GdVO4晶体在室温下的偏振吸收、偏振发射光谱和荧光寿命,笔者发现Yb:GdVO4晶体具有很强的偏振特性,π偏振吸收截面、发射截面和荧光强度都远大于σ偏振,π偏振荧光寿命较长。与相同浓度Yb:YAG晶体相比,Yb:GdVO4晶体具有大的吸收、发射截面,具有更宽的吸收带宽,宽的吸收带有利于InGaAs LD有效抽运,并且降低了对LD泵浦源温度控制的要求,容易实现激光振荡;同时Yb:GdVO4晶体具有宽的荧光线宽,适合于飞秒激光领域的应用。   分析了Yb:GdVO4晶体上转换荧光,笔者认为除496nm处荧光峰是由Yb3+离子的合作发光造成外,其它所有荧光峰是由Yb3+离子与Tm3+、Eu3+和Ho3+杂质离子的能量传递发光产生,文中对上转换荧光光谱中所有荧光峰做了解释,并阐述了Yb3+离子与它们之间的能量传递机制。   3.测量了室温下Sm:GdVO4晶体和Dy:GdVO4晶体的吸收光谱、激发光谱和荧光光谱。运用JO理论,通过吸收光谱获得跃迁强度参数Ωi,由此计算了跃迁几率、荧光分支比、辐射寿命、发射截面等光谱参数。   Sm:GdVO4晶体中三个强度参量分别为:Ω2=2.75×10-19cm2,Ω4=3.22×10-20cm2,Ω6=4.97×10-20cm2,在408nm处收吸收截面为3.87×10-20cm2,以此激发获得604nm最强荧光峰,对应于4G5/2→6H7/2跃迁,发射截面为7.62×10-21cm2,是Sm:YAP晶体的4.4倍,στ=4.11×10-21cm2ms,结果表明Sm:GdVO4晶体中4G5/2→6G7/2是比较有可能实现红光激光输出的跃迁。   Dy:GdVO4晶体中三个强度参量分别为:Ω=2.48×10-18cm2,Ω4=1.21×10-18cm2和Ω6=2.08×10-19cm2,对应于4F9/2→6H13/2的跃迁575nm的荧光半峰宽为7.6nm,其发射截面为25.9×10-20cm2,容易实现黄光激光输出。理论上计算了1.8μm的6H11/2→6H15/2跃迁、2.9μm的6H13/2→6H15/2跃迁的激光参数。   与其它掺同种稀土离子材料相比,掺Sm3+和掺Dy3+离子的GdVO4晶体Ω2都要大很多,这说明在掺稀土离子的GdVO4晶体中,RE3+-O键的共价性很强。同时给出了室温下Sm:GdVO4和Dy:GdVO4晶体中的跃迁机制。
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