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K(H1-xDx)2PO4晶体是一类性能非常优良的非线性光学晶体。随着激光技术的出现,KDP类晶体得以广泛的应用。在激光核聚变装置中,采用具有较高的非线性光学系数、较高的激光损伤阈值和较宽的透过区间的KDP晶体对1064nm的基频光实现二倍频光的输出。由于受到KDP晶体的横向受激拉曼散射损伤的影响,ICF工程选择70%-DKDP晶体的Ⅱ类晶片将倍频出的0.53gm的激光与透射出来的部分1.05μm的激光耦合产生0.35μm的紫外光,从而实现三倍频转换。DKDP晶体最重要的应用就是其电光性能的应用,如电光调制器和Q-开关等电光器件的制作。此外12%-DKDP晶体的折返波长恰处于1.05μm波段,可以支持带宽大于20nm(晶体通光长度10mm)的1.05μm激光的高效二倍频。目前,国内外围绕着KDP和DKDP晶体的生长性能进行了广泛的研究。但是对于部分氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体研究甚少。因此,本文系统的研究了不同氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体的生长动力学、结构、光谱、光学性质和高温相变等。本论文的主要内容如下：1.利用激光偏振干涉法实时测量系统研究了生长条件和氘化程度对晶体柱面生长速度和死区的影响,并从晶体生长动力学包括质量扩散机制和生长机制方面进行讨论分析。研究了氘化程度对晶体柱面的生长动力学的影响。利用螺位错和二维成核生长机制对柱面生长速度实时测量结果进行拟合可知,在低过饱和度区间晶体的柱面生长主要是由螺位错生长机制控制,而在高过饱和度区间则由二维成核机制控制。DKDP晶体的动力学系数略高于KDP晶体,而两者均高于部分氘含量的溶液中晶体柱面的生长动力学系数。比较低氘化程度的K(H1-xDx)2PO4(溶液氘含量y<90%)晶体的柱面生长速度发现,随氘含量增加,生长死区和台阶自由能轻微减小。而对于高氘化程度的K(H1-xDx)2PO4(溶液氘含量y≥90%)晶体,台阶自由能略高。这主要是由于影响晶体生长死区的杂质种类和相对浓度变化引起的。测量了温度对不同氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体的柱面生长的影响,发现：低氘化程度的K(H1-xDx)2PO4(溶液氘含量y<90%)晶体随着溶液起始饱和温度的降低,晶体柱面生长死区明显减小,生长速度增大。对于DKDP晶体,实时测量结果以及二维成核拟合得到的动力学参数与上述结果相反：随着温度的降低,晶体柱面生长速度反而增大。这也与DKDP晶体生长时我们经常观察到的现象一致,即随着生长温度的降低晶体柱面容易扩展,晶体越长越胖。利用H3P04调节KDP溶液的pH值,研究了不同酸度溶液中晶体柱面生长速度随过饱和度的变化规律。实验结果表明在增大溶液的酸性,死区减小而过渡区由于溶液粘度的增大而变宽,当溶液pH降低到2.3时,KDP的溶解度明显增大,死区减小到0.1℃。根据上述结果,我们分别利用传统降温和点籽晶快速生长法在不同温度下生长了一系列氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体。2.利用粉末XRD研究了不同氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体的结构。结果表明,D原子取代(部分的)H原子并未改变晶体的结构对称性,而晶胞参数a随氘含量增大而增大,但并不呈完全的线性依赖关系。晶胞参数c随氘含量的变化仅有小幅度的增大。高分辨X射线衍射(HRXRD)结果表明,不同氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体的结构完整性差异甚小,采用传统法或在高温区间采用快速法生长的晶体具有良好地结晶完整性。3.采用V棱镜法测量了一系列氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体的折射率。随着晶体氘含量的增大,晶体的折射率、双折射率都随之减小。分别利用Sellmeier方程和线性方程对K(H1-xDx)2PO4晶体的折射率与波长和氘含量进行拟合,结果与测量结果非常吻合。根据这些拟合公式可以计算出任意氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体不同波长的折射率,为计算不同氘含量的晶体的非线性光学系数提供基本的参数。同时发现了一种简单的利用折射率确定晶体的氘含量的方法。根据y63纵向电光效应原理,测量了K(H1-xDx)2PO4晶体的半波电压,并根据所测得的半波电压和折射率计算出了电光系数y63。结果显示晶体的氘含量与电光系数Y63基本成线性依赖关系。4.利用透过、红外和拉曼光谱系统的研究了氘化所引起得K(H1-xDx)2PO4晶体光谱的变化。K(H1-xDx)2PO4晶体的X方向比Z方向的透过波段宽。相对于KDP晶体,氘化的晶体红外波段的透过率随氘含量逐渐增大,完全氘化的DKDP红外截止边扩展了0.6μm。在近红外的基频波长1064nm时,随晶体氘化程度的升高,吸收系数逐渐减小,DKDP晶体在1064nm处几乎无吸收；晶体在中间波段,倍频波长532nm处,几乎无吸收；在紫外波段三倍频波长355nm时,产生紫外吸收,但是对晶体的氘化程度不敏感。 K(H,_XDX)2PO4晶体红外光谱结果说明：相对于KDP晶体中的O-H振动,DKDP晶体中的O-D振动引起的吸收频率减小。KDP-DKDP混晶中,O-H与O-D振动共存,O-H与O-D振动彼此独立,无相互作用。KDP晶体,在200-1200cm-1范围内可以观察到6个拉曼峰,主要是由P04阴离子团簇的内振动引起的。氘化程度大于29%的晶体产生了两个由O-D振动引起的新的拉曼峰。在K(H1-xDx)2PO4晶体中,随着晶体氘化程度的增加,振动模发生红移现象,这种拉曼位移线性依赖于晶体的氘含量。D原子取代部分的H原子,P04最强振动模的强度下降,70%-DKDP的散射强度达到最低,可以有效的抑制在三倍频过程中的横向受激拉曼散射。5.锥光干涉、散射颗粒和激光损伤阈值的测试结果说明：部分氘化的K(H1-xDx)2PO4晶体的光学质量略差于纯的KDP和DKDP晶体的光学质量；传统生长的K(H1-xDx)2PO4晶体的比快速法生长的晶体的光学质量更好。比较1-on-1和R-on-1两种测试方式时晶体损伤阈值可以发现,同一样品,R-on-1测试方式的损伤阈值是1-on-1方式的1.5-4.3倍,激光预处理效果明显。1064nm波长激光,不同氘化程度的晶体损伤阈值的激光预处理后损伤阈值提高的幅度差不多。晶体激光预处理后55%-DKDP晶体的损伤阈值仍然比完全氘化的DKDP晶体的阂值小50%以上。测试波长为355nm时,经激光预处理后,55%-DKDP晶体的损伤阈仅比DKDP晶体的损伤阈值小5%。这说明不同频率的激光对不同种类的晶体缺陷的预处理效果不同,3ω激光对晶体激光预处理后晶体的损伤阈值相差无几。测试了不同部位不同切割方向的晶体抗损伤情况,发现切片方向对晶体的抗损伤影响较大。Z切方向的晶片的损伤阈值是II类切片方向晶体的1.6倍左右。6.分别利用热重分析、高温介电常数和热台显微镜和偏光显微镜研究了不同氘化程度的K(H1-xDx)2PO4晶体的高温相变机制和高温相变点与氘化程度之间的关系。热重分析结果说明K(H1-xDx)2PO4晶体于478-481K这个范围内开始分解,D原子取代H原子,并不会导致晶体的热分解的起始温度有太大的差异。用介电常数测量分析了K(H1-xDx)2PO4晶体室温至475K之间的热行为。结果发现：与Imry等人的理论模型所预测的结果一致,K(H1-xDx)2PO4晶体确实存在高温相变。第一类相变Tp,相变温度随着晶体氘化程度逐渐降低。在KDP及12%-DKDP晶体中还观察到第二类相变Tl,对晶体氘化程度不敏感。在氘含量为12%-55%的KDP-DKDP混晶中观察到介电异常点Tl′,在KDP和DKDP晶体中未观察到。此介电异常点非常靠近相变Tl,而且与相变Tl相似,对晶体的氘含量不敏感。晶体在相变温度易附近有大量裂纹的产生：KDP晶体达到相变温度后产生裂纹,随后裂纹扩展；而DKDP晶体达到相变温度后产生大量的裂纹,而且裂纹数量继续增加。室温的锥光干涉图说明KDP和DKDP晶体具有良好的光学均匀性,当温度达到相变Tp温度时,锥光干涉图样发生变化。这可能是由于晶体四方单斜相变引起的。