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基于半导体材料的光催化反应对于解决能源问题和环境污染问题具有很大的吸引力。g-C3N4作为一种有机半导体逐渐为人们所关注，g-C3N4较好的稳定性和适宜的能带结构使其广泛应用于多相催化反应。但是g-C3N4对光的利用率仍然比较低，为了提高其光催化性能，人们致力于对它的形貌以及能带结构进行调整。 在第二章工作中，我们用温和的水热反应对g-C3N4进行改性处理，得到富氧型氮化碳(CNOs)。在水热过程中伴随着水解/缩合的过程，O元素通过C=O、C-O和N-O等含氧吸电子基的方式引入到g-C3N4中，从而能够提高光生电子-空穴的分离效率，降低CNOs的价带能级，得到的CNOs的光催化降解活性是g-C3N4的7倍。 本文第三章通过在水热体系中引入F-来加快水解/缩合反应进程。F-存在下得到的样品CNFs仍然为富氧型氮化碳，推测在此过程中F-通过亲核作用来促进C-OH形成C-O-C来加快水解/缩合反应进程。经光电流及光催化降解AO7活性可知，CNFs的光电响应和光催化活性比g-C3N4均得到明显提高。 在第四章工作中，我们通过一种单体共聚的方式将有机结构2-氨基-6-甲基苯并噻唑(AMBT)引入到氮化碳中，改性后的样品SCN-x仍为石墨相氮化碳结构，说明两种前驱体结构发生了很好的结合。AMBT的引入提高了SCN-x的电子-空穴分离效率，从而大大提高了样品的光催化活性。