基于非晶氧化物薄膜晶体管的AMOLED像素电路及集成栅极驱动电路的设计

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有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示被认为是下一代主流的显示技术。面向AMOLED显示发展所需的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)技术,非晶氧化物半导体,如铟镓锌氧(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO),成为关注的热点。本论文重点研究基于IGZO TFT的AMOLED像素电路和集成栅极电路的设计。在AMOLED像素电路方面,首先分析影响显示效果的三个因素,包括TFT的阈值电压漂移,OLED器件的性能衰退以及电压源上的电压降,以及相应的电路补偿方法。最后提出一个新的AMOLED像素补偿电路。电路仿真结果表明该电路能很好的消除这三个影响因素。在集成栅极驱动电路方面,首先总结了目前集成栅极电路设计主要采用的三种方法:浮接栅极技术、串联双TFT技术以及双时钟技术。进一步对这三种技术的优缺点进行了对比分析,发现当TFT阈值电压为负时,这些电路技术并不能很好地适用。所以,本论文最后提出了一个新的集成栅极驱动电路的设计,通过电路仿真验证该电路在保证输出正常的栅极扫描信号的前提下,能够很好的解决阈值电压为负的问题。
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