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该文采用快成核低温生长的化学方法高产率、小粒度地制备了半导体纳米晶粉体材料,通过控制反应原液浓度、反应体系的pH值以及反应温度等工艺参数在一定程度上实现了对纳米颗粒尺寸、分布和均匀性地控制制备,并通过有机包覆的方法对纳米颗粒进行了表面修饰.通过颗粒表面有机帽层的修饰实现了对表面态无辐射跃迁的有效抑制,增强了电子-空穴库仑作用,使激子结合能和振子强度增大,并通过介电效应的增加使半导体纳米颗粒的表面结构发生变化,使原来的禁戒跃迁变成允许跃迁,从而在室温下观察到了半导体纳米颗粒应有的强激子发光和粒度依赖的光学性质.另一方面,有机包覆剂作为介质也强烈的影响着半导体纳米颗粒的光学性质,使其吸收光谱和荧光光谱发生红移.采用水热合成的方法实现了三价稀土离子在半导体纳米颗粒晶格中的有效、稳定掺杂,解决了稀土离子因其半径较大、电荷较高不易掺入Ⅱ-Ⅵ族半导体基质中的问题,有可能得到既具有半导体性质,同时又是线状光谱的发光器件.使用XRD、HRTEM等测试方法对制备的半导体纳米颗粒进行了基本的结构、形貌表征;使用TG-DTA分析研究了纳米颗粒表面有机包覆层的性质,以及半导体纳米颗粒的热学性质;使用XPS元素分析研究了稀土离子的纳米晶颗粒晶格中的掺杂情况.细致研究了粉体半导体纳米晶材料的光学性质,主要是其光致发光性质.在稀土离子掺杂样品的PL谱中观察到了ZnS基质发光随掺杂离子浓度变化而出现的双峰结构.特别是详细研究了Eu<3+>离子在ZnS基质晶格中的特征发射随掺杂离子浓度的变化情况,并给出了相应的理论解释.以无机半导体纳米颗粒为发光体,以有机导电聚合物为载体制备了有机-无机相复合的电致发光器件.以有机导体作为载流子的输运通路,通过这种方法解决了以往难于研究粉体纳米颗粒电学性质的问题,并实现了无机半导体纳米材料的电致发光,这对于纳米光电子材料的应用是至关重要的.通过使用不同的有机材料分别制备了单层和双层结构的电致发光器件,并研究了它们的直流和交流电致发光性质.在实验研究的基础上,尝试性地进行了稀土掺杂量子点发光材料的能带工程设计研究.-