【摘 要】
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目的:探讨不同功率的半导体激光根管内照射对根管壁的作用,同时观测不同剂量的激光照射根管时牙根表面的温度变化。方法:选取30颗根尖发育完成的成人单根管新鲜离体牙,随机分
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目的:探讨不同功率的半导体激光根管内照射对根管壁的作用,同时观测不同剂量的激光照射根管时牙根表面的温度变化。方法:选取30颗根尖发育完成的成人单根管新鲜离体牙,随机分为5组,每组6颗,A.机械根管预备组(空白对照组);B.机械根管预备+1 w小功率激光照射10 s;C.机械根管预备+1 w小功率激光照射20 s;D.机械根管预备+2 w大功率激光照射10 s;E.机械根管预备+2 w大功率激光照射20 s。每组机械根管预备时均使用5.25%次氯酸钠(Na Cl O)溶液和17%乙二胺四乙酸(EDTA)溶液联合冲洗,边冲洗边预备,预备后再行超声根管预备。5组均进行电镜扫描,BCDE四组用红外成像仪跟踪监测从激光照射前到激光照射完成完成这一过程中根管外表面温度变化。结果:与对照组相比较,结合半导体激光照射可有效去除牙本质表面的玷污层,封闭牙本质小管口,C组效果最理想,与BC组相比较DE组的根面可见裂纹。BCD组在激光照射前后的温度变化均低于引起牙根及其周围组织损伤的10°C的阈值,而E组的温度变化高于此阈值。结论:C组常规根管预备结合半导体激光小功率1 w照射20 s,既可得到良好的根管壁形态,又不会造成牙根和根周组织的损害。
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