CuInSe2和CuIn(S,Se)2薄膜的制备及性能研究

来源 :上海师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yan19891989
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太阳能是一种可再生的清洁能源,在人类世界面临严重能源危机的情况下,对太阳能电池的研究意义重大。CuInSe2(CIS)薄膜太阳能电池具有转换效率高、成本低、稳定、无毒等优点,是最有发展前景的薄膜太阳能电池之一。   本论文主要介绍溅射后硒化法和溶液法制备CuInSe2及CuIn(S,Se)2薄膜材料的方法以及不同的工艺条件对其特性的影响。主要得到以下结论:   (1)当薄膜的衬底为碱石灰玻璃时,样品在不同退火工艺的作用下,Na元素对CuInSe2薄膜材料性能的影响是很大,Na离子在CuInSe2薄膜材料中占据阳离子空位与Se元素结合形成Na2Se物质,当经过高温退火后样品的电阻率变为1230Ω·cm。   (2)当S元素掺入时,CuInSe2薄膜材料的禁带宽度会有所提高,进而提高CuInSe2电池的效率。此论文研究硫和硒同时硒化的情况下硒化温度对CuIn(S,Se)2材料性能和结构的影响,发现当硒化温度为550℃,有助于合成均匀的、高质量的CuIn(S,Se)2薄膜材料。   (3)溶液法制备CuIn(S,Se)2薄膜材料是一种简易的制备方法,目前通过此方法制备的CuIn(S,Se)2太阳能电池的最高效率达到12%。此论文研究预退火温度对CuIn(S,Se)2薄膜材料结构和性能的影响,当预退火温度为250℃时制备的薄膜,与不经过预退火薄膜的电阻率相比要少3个数量级,而且晶格质量好、缺陷少。本论文中方法制备CuIn(S,Se)2薄膜材料的禁带宽度为(1.29eV)。   通过扫描电子显微镜(SEM)、XRD、Raman、XPS、Hall效应测量仪、紫外可见分光光度计等测试仪器对薄膜的性质进行表征。
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