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该文从实验和理论两方面研究了多层薄膜电致发光器件的物理性质,讨论了第三代场致发光器件中过热电子的输运过程.实验中发现薄膜电致发光器件的性质受很多因素的影响.通常高绝缘层限制的SiO<,2>样品出现负微分电阻特性,SiO<,2>的传导电荷-电压关系曲线中可出现一个或多个负微分电阻区.分析各种EL结构的传导电荷与电压的关系,并结合SiO、SiO<,2>的直流I-V特性和△Q-f特性,提出SiO<,2>中电子输运的模型:电子的传输受界面电子态、杂质陷井态的影响;低电场下电子在陷阱中跳跃传输;高电场改变了电子的跳跃输运的性质,大大提高了电导率,高电场使陷阱中的电子以场助离化的形式进入导带.第三代场致发光器件中,SiO<,2>加速层为非晶薄膜,非晶中存在较宽的导带带尾,使材料在高电场下从绝缘态变为高电导态.对SiO<,2>中可能出现的陷阱分布形式,分析了空间电荷限制电流的性质.作者结合薄膜电致发光器件瞬态过程的物理模型,讨论了记忆特性的产生与机制.该文给出了薄膜中过热电子传输的模拟结果.在高场薄膜电致发光所需的电子能量范围,影响电子输运的因素主要有极化光学声子散射、声学声子散射和谷间散射.这些散射机制与材料的物理性质如能带结构、介电常数、密度等有关.作者用Monte-Carlo法分别模拟了不同电场下ZnS和SiO<,2>层中电子的能量分布,并探讨了非晶SiO<,2>中电子的输运性质.