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有机电致发光器件(OLED)因具有高亮度,宽视角以及全彩显示等特点,在显示和照明领域均显示出良好的应用前景。而对于在大多数的照明和显示领域应用中要求OLED具备较低的工作电压,在低压驱动下能够提高效率,延长寿命,提高器件的稳定性。因此,低压驱动是实现OLED器件的商业化应用中的重要技术之一。本论文围绕实现低压驱动来探索制备了一系列的OLED器件,并对其发光性能进行了详细的研究,具体研究内容如下：利用Bphen掺杂CuPc作为电子注入层制备了低压驱动的蓝光器件,降低蓝光器件的启亮电压和驱动电压,并提高了器件的发光效率。电子注入层的厚度是5nm,掺杂浓度为50%时,器件的发光性能最佳,最优化的器件启亮电压和驱动电压(1000cd/m2时)分别是3.6V和6.5V,与传统器件相比,启亮电压降低了和驱动电压分别降低了0.3V和1.3V。在空穴传输层采用量子阱结构。在空穴传输层采用了MoO3/NPB量子阱结构,提高了空穴的注入和传输能力,改善了发光层中载流子的平衡分布,降低了器件的启亮电压和驱动电压,同时提高了器件的功率效率。当MoO3的总厚度为5nm,量子阱的个数为2时,器件的发光性能最佳,与传统器件相比,该器件的启亮电压降低了0.4V(2.8V)；在亮度为1000cd/m2时,驱动电压降低了1V(5.6V)；器件在10V下的亮度为15060cd/m2,最大功率效率为2.98lm/W。采用C60和Alq3分别作为电子传输层和缓冲层制备了低压驱动的OLED器件。利用C60较高的载流子迁移率,最大程度地提高了电子的注入和传输能力。通过对C60和Alq3层的膜厚进行优化,最佳厚度分别为20nm和3nm时,器件的发光性能得到很大的提高。与传统器件相比,该器件的启亮电压降低了0.4V(2.8V)；在1000cd/m2时,驱动电压降低了1.9V(4.8V),它们分别降低了12.5%和28.4%；器件的最大电流效率和功率效率为5.0cd/A和4.1lm/W,分别提高了6.8%和32.3%；此外,通过观察器件的电致发光光谱,C60的引入没有改变器件的发光性质。结合量子阱结构的空穴传输层和C60/Alq3的电子传输层及缓冲层,制备了低压驱动OLED器件,并对其发光性能进行了研究。首先对MoO3的厚度进行了优化,当M003的优化厚度为2nm时,将其应用到空穴传输层的量子阱结构并与电子传输层及缓冲层的C60/Alq3结合,在低电场下,大幅提高了空穴和电子的注入和传输能力,进一步降低了器件的驱动电压。该器件的启亮电压为2.7V,在1000cd/m2时,器件的驱动电压降低到4.7V。