【摘 要】
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该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛铌酸锶薄膜,然后蒸铝和利用光刻技术制作铝电极,形成Al/SrNbTiO/SiO/Si结构,成为平面型SrNbTiO薄膜电阻结构和MIS结构并联的元件.我们制备了不同电极距离和不同图形的平面电阻型样品,从理论和实验上对其热敏性和电容效应进行研究.该文首先介绍了温度和热敏传感器的基本理论,然后对SrNbTiO薄膜的热敏特性进行研究
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该研究利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛铌酸锶薄膜,然后蒸铝和利用光刻技术制作铝电极,形成Al/SrNb<,x>Ti<,1-x>O<,3>/SiO<,2>/Si结构,成为平面型SrNb<,x>Ti<,1-x>O<,3>薄膜电阻结构和MIS结构并联的元件.我们制备了不同电极距离和不同图形的平面电阻型样品,从理论和实验上对其热敏性和电容效应进行研究.该文首先介绍了温度和热敏传感器的基本理论,然后对SrNb<,x>Ti<,1-x>O<,3>薄膜的热敏特性进行研究.对钛铌酸锶的阻温特性进行分析,推测钛铌酸锶淀积薄膜在常温下具有负的温度系数,并从实验上证实了这一点.从元件的物理结构和热敏机理出发,建立了一个热敏电阻—电容并联的理论模型,并作说明.
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